品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,220mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
栅极电荷:4.4nC@10V
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,220mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
栅极电荷:4.4nC@10V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: