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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2312LT1G
功率：750mW
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LN2312LT1G
功率：750mW
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
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品牌：UMW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2312LT1G
功率：750mW
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2312LT1G
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：41mΩ@4.5V，5A
功率：750mW
连续漏极电流：4.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2312LT1G
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：41mΩ@4.5V，5A
功率：750mW
连续漏极电流：4.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
阈值电压：850mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
