采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：595pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：595pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6344TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6344TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：595pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
输入电容：595pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LPS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40.2nC@10V
输入电容：2.309nF@50V
连续漏极电流：90A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.5V@25μA
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
