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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2.61nF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，3.5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10V，18.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10V，18.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：21mΩ@9.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：45nC@10V
类型：1个N沟道
功率：1.5W
连续漏极电流：6A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：11.3A
阈值电压：1.5V@250μA
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：1.5W
工作温度：-50℃~+150℃
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2.61nF@15V
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
