品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSK3541FS8T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:630mΩ@5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@100μA
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSK3541FS8T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:630mΩ@5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002M3T5G
功率:150mW
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSK3019FP8TL
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@5V
导通电阻:7Ω@2.5V,1mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:630mΩ@5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@100μA
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: