采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFD
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
连续漏极电流：54A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@10V，32.6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFD
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
连续漏极电流：54A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@10V，32.6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENZ4C13
功率：245W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFD
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
连续漏极电流：54A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@10V，32.6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFD
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
连续漏极电流：54A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@10V，32.6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524KNJTL
功率：245W
阈值电压：5V@750μA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：1.85nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
