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    类型: 1个N沟道
    功率: 90W
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:70+
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    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL19N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:308mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订25个装
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订25个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL19N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:308mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS80N03DP 起订1个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS80N03DP 起订1个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS80N03DP

    功率:90W

    阈值电压:1.7V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7mΩ@4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS18N20DP 起订10个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS18N20DP 起订10个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS18N20DP

    功率:90W

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNXC7

    功率:90W

    阈值电压:5V@470μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@10V,15A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNXC7

    功率:90W

    阈值电压:5V@470μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@10V,15A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRF21085R3 起订3个装
    NXP Mosfet场效应管 MRF21085R3 起订3个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":162}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRF21085R3

    功率:90W

    ECCN:EAR99

    类型:1个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNXC7

    功率:90W

    阈值电压:5V@470μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@10V,15A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL19N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:308mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRF21085R3 起订50个装
    NXP Mosfet场效应管 MRF21085R3 起订50个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":162}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRF21085R3

    功率:90W

    ECCN:EAR99

    类型:1个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNXC7 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNXC7

    功率:90W

    阈值电压:5V@470μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@10V,15A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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