品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.9nF@100V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.9nF@100V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.9nF@100V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.9nF@100V
连续漏极电流:72A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG
栅极电荷:118nC@10V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4.75V@250μA
输入电容:5.9nF@100V
类型:1个N沟道
功率:480W
导通电阻:39mΩ@36A,10V
连续漏极电流:72A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT51F50J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11.6nF@25V
连续漏极电流:51A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@37A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6547ENZ4C13
功率:480W
阈值电压:4V@1.72mA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.8nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@25.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT51F50J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11.6nF@25V
连续漏极电流:51A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@37A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: