采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3
功率：39W
阈值电压：3.9V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@10V，3.8A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：230}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3
功率：39W
阈值电压：3.9V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@10V，3.8A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3
功率：39W
阈值电压：3.9V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@10V，3.8A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
功率：39W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：156mΩ@12A，10V
栅极电荷：122nC@10V
输入电容：2.774nF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3
功率：39W
阈值电压：3.9V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@10V，3.8A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：7.6nC@10V
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：82nC@10V
输入电容：3.175nF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：82nC@10V
输入电容：3.175nF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
