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品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3920J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19.4nC@4.5V
输入电容：785pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@15V
导通电阻：13mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3920J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19.4nC@4.5V
输入电容：785pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@15V
导通电阻：13mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3920J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19.4nC@4.5V
输入电容：785pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@15V
导通电阻：13mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
