采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
