采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.335nF@75V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@75V
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT100N03MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@5V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：300pF@10V
导通电阻：3.4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT100N03MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@5V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：300pF@10V
导通电阻：3.4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT100N03MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@5V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：300pF@10V
导通电阻：3.4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT100N03MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@5V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：300pF@10V
导通电阻：3.4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT100N03MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@5V
输入电容：2.5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：300pF@10V
导通电阻：3.4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：50W
漏源电压：250V
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
连续漏极电流：4.4A
输入电容：250pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT50N03D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：610pF@12V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：125pF@12V
导通电阻：8mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT50N03D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：610pF@12V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：125pF@12V
导通电阻：8mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT50N03D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：610pF@12V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：125pF@12V
导通电阻：8mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
