采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
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功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：75nC@10V
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类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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