品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
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输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
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导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
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包装方式:管件
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类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:40A
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导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
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连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4.2nF@100V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
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栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4.2nF@100V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
类型:1个N沟道
功率:250W
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:5V@250μA
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包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
类型:1个N沟道
功率:250W
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:5V@250μA
输入电容:2.7nF@100V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
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