品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:23nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD50N20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:244nC@10V
输入电容:3.538nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:280pF@25V
导通电阻:30mΩ@10V,25A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD50N20
类型:1个N沟道
功率:250W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:50A
导通电阻:30mΩ@10V,25A
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:3.538nF@25V
反向传输电容:280pF@25V
栅极电荷:244nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):268psc
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
类型:1个N沟道
输入电容:4.57nF@25V
功率:250W
栅极电荷:77nC@10V
导通电阻:70mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:35A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:250W
栅极电荷:64nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:5mΩ@30A,10V
输入电容:3.4nF@30V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:250W
栅极电荷:64nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:5mΩ@30A,10V
输入电容:3.4nF@30V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.45nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:23nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@145μA
栅极电荷:169nC@10V
输入电容:11.064nF@25V
连续漏极电流:450A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.64mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@196μA
栅极电荷:206nC@10V
输入电容:17nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:120pF@30V
导通电阻:1.8mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:23nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:23nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3 G
栅极电荷:275nC@10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4V@196μA
功率:250W
导通电阻:2.4mΩ@10V,100A
连续漏极电流:120A
漏源电压:60V
输入电容:23nF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:0.64mΩ@100A,10V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3V@145μA
连续漏极电流:450A
功率:250W
栅极电荷:169nC@10V
输入电容:11.064nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: