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    类型: 1个N沟道
    功率: 62.5W
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:40+
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    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB5N80AE-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

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    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PH2525L,115 起订1527个装
    NXP Mosfet场效应管 PH2525L,115 起订1527个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PH2525L,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:34.7nC@4.5V

    输入电容:4.47nF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRD70N03 起订1个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRD70N03 起订1个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRD70N03

    功率:62.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    连续漏极电流:62.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    输入电容:540pF@25V

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP5N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    输入电容:321pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订9个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订9个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCEP1520K-ES

    功率:62.5W

    阈值电压:3V

    栅极电荷:11.5nC

    输入电容:675pF

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:4pF

    导通电阻:57mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCEP1520K-ES

    功率:62.5W

    阈值电压:3V

    栅极电荷:11.5nC

    输入电容:675pF

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:4pF

    导通电阻:57mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订12个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCEP1520K-ES 起订12个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCEP1520K-ES

    功率:62.5W

    阈值电压:3V

    栅极电荷:11.5nC

    输入电容:675pF

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:4pF

    导通电阻:57mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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