品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
输入电容:540pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10V,10A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: