品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R460CE
工作温度:-40℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:3V@680μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:1.6nF@100V
连续漏极电流:10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R460CE
工作温度:-40℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:3V@680μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:1.6nF@100V
连续漏极电流:10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
类型:1个N沟道
功率:34W
连续漏极电流:11A
漏源电压:800V
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
阈值电压:3.9V@680μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
类型:1个N沟道
功率:34W
漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
类型:1个N沟道
功率:34W
连续漏极电流:11A
漏源电压:800V
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
阈值电压:3.9V@680μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.6Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):M4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.6Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.6Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):M4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):M4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.6Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):M4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:平伟实业
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):M4N65TF
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD6H846NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2V@21μA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@40V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@40V
导通电阻:12.2mΩ@10V,5A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: