采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
类型：1个N沟道
功率：130W
漏源电压：1.2kV
连续漏极电流：6A
阈值电压：5V@100μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
类型：1个N沟道
功率：130W
漏源电压：1.2kV
连续漏极电流：6A
阈值电压：5V@100μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
