采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：7V@1.38mA
栅极电荷：22nC@15V
输入电容：645pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：7V@1.38mA
栅极电荷：22nC@15V
输入电容：645pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
