采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：9N40-220
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：607mΩ@10V，4.5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L-23
功率：100W
阈值电压：2V@50μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L-23
功率：100W
阈值电压：2V@50μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L-23
功率：100W
阈值电压：2V@50μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L-23
功率：100W
阈值电压：2V@50μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S2L-23
功率：100W
阈值电压：2V@50μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS60N02DP
功率：100W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS100N06RA
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N450K6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：700pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10K
功率：100W
阈值电压：1.3V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N450K6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：700pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：469}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
