品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
功率:294W
连续漏极电流:170A
输入电容:8nF@40V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.7V@250μA
栅极电荷:279nC@10V
输入电容:10.034nF@25V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:4.095nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:178pF@25V
导通电阻:1.35mΩ@10V,25A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: