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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD24N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：220Ω@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4310
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：8.05nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：420pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410Z
功率：230W
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410Z
功率：230W
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410Z
功率：230W
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD24N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：220Ω@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
连续漏极电流：20A
漏源电压：500V
功率：230W
类型：1个N沟道
输入电容：1.92nF@25V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：260mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：18pF@25V
栅极电荷：56nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4310
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：8.05nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：420pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2204
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7537PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3.7V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.02nF@25V
连续漏极电流：173A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2204
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7537PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3.7V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.02nF@25V
连续漏极电流：173A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2204
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7537PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3.7V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.02nF@25V
连续漏极电流：173A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2204
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7537PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3.7V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.02nF@25V
连续漏极电流：173A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
功率：230W
阈值电压：4.5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：8.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.38Ω@10V，4.15A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2205
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7437PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3.9V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.33nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@10V，100A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB3306GPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：4V@150μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.52nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2204
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFB7537PBF
功率：230W
类型：1个N沟道
阈值电压：3.7V@150μA
漏源电压：60V
栅极电荷：210nC@10V
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
包装方式：管件
输入电容：7.02nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
连续漏极电流：173A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
