品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
导通电阻:72mΩ@10V,26A
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:8.66nF@100V
功率:481W
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
导通电阻:72mΩ@10V,26A
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:8.66nF@100V
功率:481W
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: