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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：780pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：12mΩ
功率：1.25W
栅极电荷：11nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：780pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：12mΩ
功率：1.25W
栅极电荷：11nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
功率：3W
导通电阻：4.8mΩ
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
输入电容：1.71nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
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