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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
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功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
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输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
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导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@5V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：370mW
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
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销售单位：个
阈值电压：1.5V@250μA
漏源电压：30V
功率：260mW€1.1W
输入电容：13pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
连续漏极电流：180mA
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
栅极电荷：440pC@4.5V
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输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
漏源电压：60V
导通电阻：6Ω@5V，115mA
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
导通电阻：5Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
导通电阻：5Ω@10V，115mA
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