采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：342mW
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：1.65nC@4.5V
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.5pF@15V
导通电阻：212mΩ@4.5V，900mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.3nC@10V
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
输入电容：150pF@25V
功率：3.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：900pC@10V
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
功率：3.3W
漏源电压：200V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：900pC@10V
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
功率：3.3W
漏源电压：200V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
