首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K4P7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:7W€480mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:241pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:7W€480mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:241pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:60W

    阈值电压:7V@450μA

    栅极电荷:10.5nC@15V

    输入电容:260pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    输入电容:464.3pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPF4N65 起订22个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPF4N65 起订22个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPF4N65

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:4.5pF@25V

    导通电阻:2Ω@10V,2A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订840个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订840个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4N65C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@25V

    导通电阻:2.41Ω@10V,2A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订28个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订28个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4N65C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@25V

    导通电阻:2.41Ω@10V,2A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订22个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65C 起订22个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4N65C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@25V

    导通电阻:2.41Ω@10V,2A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65T 起订10个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4N65T 起订10个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4N65T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:8pF@25V

    导通电阻:2.4Ω@10V,2A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:7W€480mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:241pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:7W€480mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:241pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:7W€480mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:241pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧