采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870Q-7-F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
