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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
输入电容：250pF@500V
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：800V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@1.4mA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.6nF@400V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
