品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA12N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R280F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R280F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MOT65R280F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA12N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R280F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MOT65R280F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHA12N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHA12N50E-GE3
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功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
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工作温度:-55℃~+150℃
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栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
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功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@50V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.1pF@50V
导通电阻:230mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
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