品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMP075N15NS1_T0_00601
工作温度:-55℃~+175℃
功率:258.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.511nF@75V
连续漏极电流:125A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W€80W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20.4nC@10V
输入电容:1.51nF@25V
连续漏极电流:20A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G86N06K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:77nC@10V
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: