品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":239,"11+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6212-40C,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.9nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD50N20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:244nC@10V
输入电容:3.538nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:280pF@25V
导通电阻:30mΩ@10V,25A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD50N20
类型:1个N沟道
功率:250W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:50A
导通电阻:30mΩ@10V,25A
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:3.538nF@25V
反向传输电容:280pF@25V
栅极电荷:244nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT50N02D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:26.4nC@10V
输入电容:1.23nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@10V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:3.4V@13μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:1.09nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":239,"11+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6212-40C,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.9nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M6R0-40HX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.9mΩ@10V,20A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:1.77V@1mA
反向传输电容:66pF@25V
功率:70W
输入电容:1.764nF@25V
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:50A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: