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    类型: 2 N-通道(双)
    阈值电压: 3V @ 250µA
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:14nC @ 10V

    输入电容:665pF @ 15V

    连续漏极电流:7.5A,10A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:21.5 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 5V

    输入电容:460pF @ 15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:7nC @ 5V

    输入电容:460pF @ 15V

    漏源电压:30V

    类型:2 N-通道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW

    连续漏极电流:5.5A

    导通电阻:40 毫欧 @ 5.5A,10V

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949-F085 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949-F085 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:11nC @ 5V

    输入电容:955pF @ 20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:29 毫欧 @ 6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949-F085 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949-F085 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:11nC @ 5V

    输入电容:955pF @ 20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:29 毫欧 @ 6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    功率:3.12W

    连续漏极电流:4A(Tc)

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    类型:2 N-通道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

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