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    类型: 2 N-通道(双)
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:14nC @ 10V

    输入电容:665pF @ 15V

    连续漏极电流:7.5A,10A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:21.5 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 5V

    输入电容:460pF @ 15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930A 起订数499个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:7nC @ 5V

    输入电容:460pF @ 15V

    漏源电压:30V

    类型:2 N-通道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW

    连续漏极电流:5.5A

    导通电阻:40 毫欧 @ 5.5A,10V

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:27W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 10V

    输入电容:1110pF @ 15V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:12 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:260mW(Ta)

    阈值电压:1.25V @ 250µA

    栅极电荷:1.65nC @ 4.5V

    输入电容:81pF @ 15V

    连续漏极电流:870mA(Ta)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:252 毫欧 @ 900mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订数200个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订数200个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:260mW(Ta)

    阈值电压:1.25V @ 250µA

    栅极电荷:1.65nC @ 4.5V

    输入电容:81pF @ 15V

    连续漏极电流:870mA(Ta)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:252 毫欧 @ 900mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    功率:3.12W

    连续漏极电流:4A(Tc)

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    类型:2 N-通道(双)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD175XNEX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD175XNEX

    输入电容:81pF @ 15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.25V @ 250µA

    栅极电荷:1.65nC @ 4.5V

    连续漏极电流:870mA(Ta)

    导通电阻:252 毫欧 @ 900mA,4.5V

    类型:2 N-通道(双)

    功率:260mW(Ta)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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