首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: 2 N-通道(双)
    连续漏极电流: 30A(Tc)
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:27W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:25nC @ 10V

    输入电容:1110pF @ 15V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:12 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:34W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:35nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF @ 25V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:48W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:30nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF @ 25V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:25.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:34W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:35nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF @ 25V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    栅极电荷:35nC @ 10V

    输入电容:1900pF @ 25V

    类型:2 N-通道(双)

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧