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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:27nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF @ 50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:27nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF @ 50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:27nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF @ 50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:25W

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:8nC @ 10V

    输入电容:250pF @ 50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:85 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.4nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF @ 30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:27nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF @ 50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V @ 250µA

    栅极电荷:62nC @ 10V

    输入电容:2070pF @ 15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:20.1nC @ 10V

    输入电容:950pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.35 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15nC @ 10V

    输入电容:530pF @ 15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:16.7W,31W

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V

    输入电容:660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V

    连续漏极电流:30A(Tc),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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