采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3803PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@71A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7821TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@15V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3020UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1304pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：144000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRLR2703TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
