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    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1140pF@10V

    功率:1.8W

    栅极电荷:12.5nC@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7001 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:829.9pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R0UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1696pF@10V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:829.9pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R0UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1696pF@10V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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