首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 20nC@10V
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    连续漏极电流:6A€27A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    阈值电压:3.8V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    输入电容:1009pF@30V

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1173pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2W€40W

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R006PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R006PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R006PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:630mW€75W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@30V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@27A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L

    品牌:BiPOM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1142,"22+":1651}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:347
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧