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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 100V
    阈值电压: 4.5V@250µA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15265pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:534
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH130N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH130N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH130N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    输入电容:5080pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP120N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP120N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":800,"9999":48}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@50V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP090N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP090N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8225pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":241}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:175
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@50V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@50V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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