采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
