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    漏源电压
    30V
    栅极电荷
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 23nC@4.5V
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NAT4G

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1457
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NA-1G

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":108,"12+":889,"13+":1088,"14+":4000}

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:363
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NA-1G

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":298,"09+":1500,"11+":227,"13+":2500,"14+":16391,"16+":22542,"18+":39}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1283
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":298,"09+":1500,"11+":227,"13+":2500,"14+":16391,"16+":22542,"18+":39}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NAT4G

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":108,"12+":889,"13+":1088,"14+":4000}

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:717
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):369psc

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    栅极电荷:23nC@4.5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    输入电容:3420pF@15V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    阈值电压:1.6V@250µA

    连续漏极电流:32A€100A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):369psc

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    栅极电荷:23nC@4.5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    输入电容:3420pF@15V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    阈值电压:1.6V@250µA

    连续漏极电流:32A€100A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NA-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD4806NA-1G

    栅极电荷:23nC@4.5V

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:11.3A€79A

    输入电容:2142pF@12V

    包装方式:管件

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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