首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    行业应用
    ECCN
    连续漏极电流
    12A
    阈值电压
    包装方式
    漏源电压
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 12A
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:67
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":623}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:226
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":623}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ12N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF360A70L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1360pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF360A70L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1360pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:166
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP11N80E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCQ12N10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ12N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF360A70L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF360A70L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1360pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧