品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1639
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7656AS
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
功率:2.5W€96W
输入电容:8705pF@15V
连续漏极电流:31A€49A
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":21000}
规格型号(MPN):FDMS7556S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
输入电容:8965pF@13V
连续漏极电流:35A€49A
功率:2.5W€96W
导通电阻:1.2mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3006SDC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:5725pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:34A
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
功率:3.3W€89W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D75Z
导通电阻:5Ω@200mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
连续漏极电流:500mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
功率:2.5W€36W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
导通电阻:5mΩ@18A,10V
输入电容:1815pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2209}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D75Z
功率:400mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.5W€59W
输入电容:3550pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:26A€49A
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:124A
漏源电压:25V
功率:47W
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@13V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
导通电阻:5Ω@200mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
连续漏极电流:23A€49A
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
输入电容:2780pF@13V
功率:2.5W€46W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
导通电阻:5Ω@200mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":2608}
规格型号(MPN):FDMC7572S
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:2.3W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
导通电阻:5Ω@200mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
导通电阻:5Ω@200mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":1949}
规格型号(MPN):BS170-D26Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:830mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:12.5A€18A
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1385pF@15V
功率:2.3W€27W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1639
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.5W€59W
输入电容:3550pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:26A€49A
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: