品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP38N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2240pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA38N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2240pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN170N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@85A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN170N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:258nC@10V
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:138A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@85A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: