采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
