品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD150N3LLH6
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF03L-04
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: