品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
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类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
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类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
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输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
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类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3107,"23+":12101,"24+":1933,"MI+":22919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3107,"23+":12101,"24+":1933,"MI+":22919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
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输入电容:621pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3107,"23+":12101,"24+":1933,"MI+":22919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
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输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
阈值电压:2V@26µA
输入电容:521pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:10nC@10V
连续漏极电流:7A€25A
功率:3.2W€38W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
阈值电压:2V@26µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:68W
导通电阻:35mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:55V
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: