采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1078X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：1.02A
类型：N沟道
导通电阻：142mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
